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5月26日先进材料与纳米技术系——大面积基底完整纳米压印光刻技术及其应用前景



题目:大面积基底完整纳米压印光刻技术及其应用前景

报告人:冀然博士

时   间:5月26日(周三)下午4:00
地   点:二教404
主持人:罗锋(特聘研究员)

报告内容摘要

     近年来, 半导体照明技术在全球范围内引起了广泛关注。相关的产业也开始蓬勃发展。预计到2010年全球发光二极管(LED)产业市场总值将达到90亿美金 [i]。然而,目前由于发光效率的限制,LED的应用还被局限在诸如手机,掌上电脑,笔记本电脑或者汽车导航等便携设备终端的背光照明上。想要把LED这种技术应用于更多的日常照明领域,它的发光效率还有待显著的提高。在科学上光子晶体(PhC)结构已经被证明可以有效的提高发光二极管的发光效率 [ii]。然而如何在发光二极管基地上面有效的低成本的生产这种高分辨率的光子晶体结构一直是对光刻生产工艺的巨大挑战。传统的大面积掩模光刻技术无法满足在波长范围的精度要求,电子束光刻的精度足够, 但是另一方面基于它的扫描曝光原理产能又太低。步进式光刻机目前可以满足精度和产能两方面的需求,但是居高不下的机器价格又使得生产成本的控制捉襟见肘。