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强场电离中的Glory再散射



主办:应用物理中心
报告人: 夏勤智 副研究员 北京应用物理与计算数学研究所
时间:12月18日(本周二)中午 12:20-13:30
地点:澳门太阳娱乐网站官网1号楼210会议室(成府路北,力学大院内)
主持人:康炜副教授


报告摘要: 

光学中的Glory现象即中国过去所称的“佛光”。在散射问题中,存在与光学Glory对应的Glory散射。我们首次发现,在强场电离过程中存在类似的Glory再散射现象。利用半经典路径积分方法,建立了Glory再散射理论(GRT理论),定量处理了这一效应,并解决了强场物理研究中一些长期的理论困难。譬如,近十年以来,通过测量强激光场辐照原子分子所产生的光电子的干涉条纹位置,学术界发展起来了一种被称为强激光场光电子全息干涉的技术,用以探测在阿秒尺度里原子分子的动力学过程。然而,长期以来,对于这些干涉条纹的位置的刻画,理论和实验存在显著的背离。强场物理团队利用Glory再散射理论解决了这个问题,并发现在光电子全息干涉结构中会存在突变结构。同时,利用新的解析结果,研究人员讨论了过去十年强场领域持续关注的低能电子结构,阐明了低能电子分布中的量子干涉效应。