招收领域：
研究方向主要包括：
* 大功率LED上游衬底材料氢化物气相外延（HVPE）和金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长非平衡态体系的动力学生长模型及应力分析模型。 * GaN 厚膜厚度均匀性和晶体质量均匀性控制 * 降低或阻断应力和缺陷生成的理论和方法。   应聘条件：
1.已具有博士学位或者在近期内能顺利完成博士论文答辩；
2.具有较好的中英文写作和交流能力，以及科学论文发表记录；
3. 具有很强的科研创新能力和团队协作精神。 岗位职责：
拟招收的博士后将在甘子钊院士， 段慧玲研究员、童玉珍副教授为合作导师指导下，从事大尺寸LED上游衬底材料制备中缺陷形成机理及抑制的研究开发工作，力求做出高水平的基础研究和应用研究成果。 应聘材料 ：
1.中英文简历和申请信；
2.论文论著以及专利目录，3篇代表作全文；
3.三位推荐人的联系方式。

基本待遇：
2138cn太阳集团古天乐博士后标准待遇；协助申请博士后基金及青年基金；鼓励与支持国际合作，提供国际合作机会。

联系人：何景婷， 电 话：13426251815，邮箱：hejt@coe.pku.edu.cn 有效日期：从即日起至2013年1月1日